基于双平面缺陷结构的小型化双频带负群时延电路外文翻译资料

 2022-12-25 12:26:47

英语原文共 3 页,剩余内容已隐藏,支付完成后下载完整资料


基于双平面缺陷结构的小型化双频带负群时延电路

摘要——本文介绍了一种采用双平面U形结构的双频带负群时延电路(NGDC)的设计。每个频带的中心频率与群时延(GD)时间分别由缺陷微带结构(DMS)和缺陷接地结构(DGS)控制。其中电阻器连接在DMS和DGS槽之间。为了验证设计概念,NGDC的设计,制造和电路仿真比较。为了获得更好的带宽,两个具有不同中心频率的NGDC以级联设计连接。从测量结果来看,GD时间为和,并分别在和处获得。

索引词——分布式传输线,双平面缺陷结构,双频带负群时延电路(NGDC).

  1. 引言

近年来,各种无线通信标准,例如无线局域网(WLAN)、全球微波接入互操作性(WiMAX)、宽带码分多址(WCDMA)、长期演进(LTE)等,已经在全世界范围内得到发展,并有可能在不久的将来出现更多的标准。因此,多频带组件的设计是必要的。

负群延迟(GD)意味着波传播的时间推进;这些有趣的特性已应用于各种通信系统的应用[1]-[3]。微波有源/无源负极群延迟电路(NGDC)[1]-[7]的设计采用了多种方法。然而,一些研究集中在双频带NGDCS[8]、[9]的设计上。在[9]中给出了使用复合右/左手(CRLH)传输线的双频带NGDC。但是,它不是POS可独立控制两个波段的GD时间。

有缺陷的传输线结构,如光子带隙(PBG)结构、GGS和DMS在一定的谐振频率下可以提供衰减,并成功地应用于射频麦克风[10][11]。DMS和DGS的衰减特性也分别用于设计单频带NGDC[11],[12]中。然而,目前还没有将双平面缺陷结构(DMS和DGS)同

手稿于2014年3月2日收到; 2014年4月28日接受。出版日期2014年6月13日; 当前版本的日期2014年8月5日。这项工作是由基础科学研究计划的支持,韩国国家研究基金会(NRF)资助,由教育,科学和技术部(2013006660)资助。

G. Chaudhary和Y. Jeong是韩国全罗北道全州全北大学IT融合研究中心电子卡工程系(电子邮件:ycjeong@jbnu.ac.kr)。

J. Lim与韩国忠清南道顺天乡大学合作。

本函中一个或多个图的彩色版本可在线获取http://ieeexplore.ieee.org。

数字对象标识符10.1109 / LMWC.2014.2322445

图1.(a)双频NGDC的拟议结构及(b)其等效电路

时应用于双波段NGDC的设计中。

在这篇文章中,DMS和DGS的衰减特性一起用于设计双频带NGDC。这项工作允许在两个波段的GD时间的可控性独立。

  1. 设计与实现

图1.(a)显示了所提出的双频带NGDC的结构由顶部平面上的DMS和底部平面上的DGS组成。外部电阻用于获得在双频带的中心频率处期望的GD时间。所提出的NGDC的等效电路如图图1.(b)所示。诸如DMS和DGS的微带线的缺陷结构表示为串并联RLC电路。等效DMS和DGS的集总元件值可以通过执行电磁(EM)模拟来获得,其值由[10]给出。从提出结构的等价电路中,GD和插入损耗都

可以如下所示计算[6],[11]

图2具有外部电阻的U形DMS和DGS的电磁和电路模拟信号衰减特性:(a)DMS和(b)DGS

其中是终端端口阻抗。是谐振器(DMS和DGS)的带宽,其被定义为高于每个频带的最大信号衰减的3dB频率。的值为(3)

or.(3)

从(1)和(3)可以看出,GD时间可由控制的。为了验证所提出的NGDC的设计概念,首先使用Ansoft HFSS v13的EM求解器分别对U型DMS和DGS进行了仿真。其尺寸如下:a=15.9,b=2.2,g=0.4,和(所有单位均以毫米为单位)。使用衬底RT/Duroid 5880上进行模拟,其介电常数为2.2,厚度为31 密耳。

图2分别显示了U形DMS和DGS的模拟特性,表明信号衰减特性可以随外部电阻的变化而改变。紧凑型双频带NGDC可以利用信号和地面平面的空间构建,其中U型DMS和DGS同时组合在两个平面上[见图1.(a)]。

图3显示了所提出的双频带NGDC的仿真结果,其中U型DMS和DGS的尺寸与先前的相同。分别获得第一和第二频带的谐振和截止频率和。分别给出了该结构的提取电路元件值,和。为了获得的GD,DMS和DGS插槽的外部电阻连接分别为和。从图中可以看出,电路仿真与EM仿真具有良好的一致性。第一频带和第二频带的带宽分别由和EM仿真确定。在和的GD分别获得为和。因此,第一频带和第二频带的最大可实现NGD时间和带宽乘积()分别为0.2876和0.2952。

图3双频带NGDC的模拟群时延和信号衰减()特性

图4根据不同和的模拟群时延特性

图4显示了具有不同外部电阻(和)的GD的仿真结果。为了显示对GD的独立控制,首先将第二频带的GD固定在周围,第一波段的GD是从到通过将从改为。类似地,在第二种情况下,第一频带固定在,而第二频带通过从改为而从调谐到。然而,较高的NGD会导致带宽减少。因此,在设计过程中应注意NGD与带宽之间的权衡。

三.模拟与测量结果

目标是设计一个GD为用于WiMax和WLAN,分别在3.5和5.2GHz的中心频率下工作。为此,对一种利用缺陷结构的NGDC进行了仿真和制作。关于U型DMS和DGS的物理尺寸与先前的相同。

图5显示了所提出的双频带NGDC的仿真和测量结果.从图中可以看出,测量结果与仿真结果吻合较好。在3.516 GHz的第一频带测量到的GD和信号衰减分别为和26.65dB。

同样,在5.2GHz的第二频带处测量了GD和信号衰减,分别为和28.56dB。第一和第二频带的带宽分别为62 MHz和59 MHz,其分别提供0.2628和0.256的NGD带宽乘积.在第一和第二频带中心频率处,测量的回波损耗分别为0.3和0.4dB,可以通过在输入/输出端口连接分流电阻来改善[6]。

图5单级NGDC的仿真与测试结果

图6两级NGDC的仿真与测试结果

图7制作的双频带NGDC照片:(A)顶部和(B)底部视图

表一

性能比较

A=独立控制cach频段的群时延

为了增加GD带宽,两个中心频率略有不同的双频带NGDC被级联。为此,设计了两种不同的NGDC,中心频率分别为3.47和3.5GHz。低频带为6 GHz,高频带为5.11和5.19GHz。测量结果与仿真结果吻合较好,如图6所示。测量结果表明,在3.46-3.58GHz和5.10-5.20GHz时,GDS值分别为-4.540.6ns和-4.200.5ns,其带宽乘积分别为0.545和0.42。并且可以使用通用增益放大器[1]、[6]来补偿。分别测量每个频带上的信号衰减,为47.350.9dB和38.80.95dB,它们可以使用通用增益放大器[1]、[6]进行补偿。但是,它可能会降低整体NGD,增加带外增益,导致整个电路的稳定性.在两个中心频率上观测到最大信号衰减和GD的差异,因为在这些频率处使用不同的电阻,因为DMS和DGS缺陷结构的提取电感不同。

表一显示了所提出的电路与先前的研究结果的性能比较。如表所示,提出的双频带NGDC在两个频带上提供了更高的GD和独立的GD控制。然而,需要在GD和带宽之间进行权衡。制作电路的照片如图7所示。

四.结论

本文利用缺陷微带结构和缺陷接地结构的衰减特性,提出了一种双频带NGDC的设计与实现。所提出的结构在独立控制每个频带的群时延方面具有更大的自由度。所提出的结构预期可应用于多频带通信系统。

参考文献

[1] H. Choi, Y. Jeong, C. D. Kim, and J. S. Kenney, “Efficiency enhancement of feedforward amplifiers by employing a negative group

delay circuit,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 58, no. 5, pp.

1116–1125, May 2010.

[2] B. Ravelo, M. L. Roy, and A. Perennec, “Application of negative group

delay active circuits to the design of broadband and constant phase

shifters,” Microw. Opt. Tech. Lett., vol. 50, no. 12, pp. 3078–3080, Dec.

2008.

[3] C. D. Broomfield and J. K. A. Everand, “Broadband negative group

delay circuits for compensation of microwave oscillators and filters,”

Electron. Lett., vol. 36, no. 23, pp. 1931–1932, Nov. 2003.

[4] B. Ravelo, A. Perennec, M. L. Roy, and Y. G. Boucher, “Active microwave circuit with negative group delay,” IEEE Microw. Wireless

Compon. Lett., vol. 17, no. 12, pp. 861–863, Dec. 2007.

[5] M. Kandic and G. E. Bridges, “Bilateral gain-compensated negative

group delay circuit,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol. 21,

no. 6, pp. 308–310, Jun. 2011.

[6] M. Kandic and G. E. Bridges, “Asymptotic limits of negative group

delay in active resonator based distributed circuits,” IEEE Trans. Circuit Syst. I, vol. 58, no. 8, pp. 1727–1735, Aug. 2011.

[7] S. Lucyszyn and I. D. Robertson, “Analog reflection topology building

blocks for adaptive microwave signal processing applications,” IEEE

Microw. Theory Tech., vol. 43, no. 3, pp. 601–611, Mar. 1995.

[8] B. Ravelo and S. Blasi, “An FET-based microwave active circuit with

dual-band negative group delay,” J. Microw. Optoelectron. Electromagn. Appl., vol. 10, no. 2, pp. 355–366, Dec. 2011.

[9] H. Choi, Y. Jeong, J. Lim, S. Eom, and Y. Jung, “A novel design

of a dual-band negative group delay circuit,” IEEE Microw. Wireless

Compon. Lett., vol. 21, no. 1, pp. 19–21, Jan. 2011.

[10] D. Ahn, J. Park, C. Kim, J. Kim, Y. Qian, and T. Itoh, “A design of

the low-pass filter using a novel microtrip defected ground structure,”

IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 49, no. 1, pp. 86–93, Jan. 2001.

[11] G. Chaudhary, Y. Jeong, and J. Lim, “Miniaturized negative group

delay circuit using defected microstrip structures and lumped elements,” IEEE Int. Microw. Symp. Dig., Jun. 2013.

[12] G. Chaudhary, J. Jeong, P. Kim, Y. Jeong, and J. Lim, “Compac

剩余内容已隐藏,支付完成后下载完整资料


资料编号:[20648],资料为PDF文档或Word文档,PDF文档可免费转换为Word

原文和译文剩余内容已隐藏,您需要先支付 30元 才能查看原文和译文全部内容!立即支付

以上是毕业论文外文翻译,课题毕业论文、任务书、文献综述、开题报告、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找。