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电源
- 介绍
该器件需要2.0 V至3.6 V的工作电源（V0 0）。 嵌入式调节器用于提供内部1.8 V数字电源。
当主V0 0电源断电时，实时时钟（ATC）和备份寄存器可以由VsAT电压供电。
图1。 电源概述
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- 独立的AID转换器电源和参考电压
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为了提高转换精度，ADC具有独立的电源，可以单独进行滤波，并且屏蔽PCB上的噪声。
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- ADC电压电源输入可在独立的VDDA引脚上使用
- VssA引脚提供了一个隔离的电源接地连接当可用时（取决于封装），VREF-必须连接到V ssA。
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在100引脚封装上
为确保低电压输入的精度更高，用户可以在VREF 上连接一个单独的外部参考电压ADC输入。bull;VREF 上的电压范围可以从2.0 V到VDDA。
在64引脚或更少的封装上
VREF 和VREF-引脚不可用，它们内部连接到ADC电压电源（VooA）和地（VssA-）
备用电池
要在V0 0关闭时保留备份寄存器的内容，可以将VsAT引脚连接到由电池或其他电源提供的可选备用电压。
VsAT引脚也为RTC单元供电，即使主数字电源（V0 0）关闭，也允许RTC工作。 切换到VsAT电源由嵌入在复位模块中的掉电复位（PDR）电路控制。
如果应用中不使用外部电池，VsAT必须从外部连接到V0 0。
电压调节器
电压调节器在复位后始终使能。 它根据应用模式有三种不同的模式：
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- 在运行模式下，稳压器为1.8V域（内核，存储器和数字外设）提供全功率，
- 在停止模式下，稳压器为1.8 V域提供低功耗，保留寄存器和SAAM的内容
- 在待机模式下，稳压器关闭。 除了那些与备用电路和备份域有关的寄存器和SAAM的内容会丢失。
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低功耗模式
默认情况下，系统或电源复位后微控制器处于运行模式。 当CPU不需要保持运行时，例如在等待外部事件时，可以使用几种低功耗模式来节省功耗。 用户可以选择在低功耗，短启动时间和可用唤醒源之间提供最佳折衷的模式。
STM32F10xxx器件具有三种低功耗模式：
- 睡眠模式（CPU时钟关闭，包括Cortex-M3内核外设（如NVIC，SysTick等）在内的所有外设都保持运行）
- 停止模式（所有时钟都停止）
- 待机模式（1.8V域关机）
另外，运行模式下的功耗可通过以下方式之一降低：
- 减慢系统时钟
- 当它们未被使用时，将时钟门控给APB和AHB外设。
下面的表1总结了STM32F1Oxxx MCU的低功耗模式。
表格1。 低功耗模式
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模式名称 |
条目 |
醒来 |
对1.8 V域时钟的影响 |
作用于 v0 0d域时钟 |
电压调节器 |
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睡觉 |
WFI |
任何中断 |
CPU时钟关闭 |
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（睡眠 - 现在或睡眠 - onexit） |
对其他时钟或模拟时钟源没有影响 |
没有 |
上 |
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WFE |
唤醒事件 |
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停止 |
PODS和LPDS位 SLEEPDEEP 位 WFI或WFE |
任何EXTI行（在EXTI寄存器中配置） |
所有1.8 V域时钟OF |
HSI和HSE振荡器关闭 |
打开或处于低功耗模式（取决于电源控制 注册，PWR_CR |
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) |
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支持 |
PODS位 SLEEPDEEP 位 WFI或WFE |
WKUP引脚上升沿，RTC报警，NRST引脚外部复位，IWDG复位 |
关闭 |
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- 减慢系统时钟
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在运行模式下，可以通过编程预分频寄存器来降低系统时钟的速度（SYSCLK，HCLK，PCLK1，PCLK2）。 这些预分频器也可用于在进入睡眠模式之前减慢外设。
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- 外设时钟门控
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在运行模式下，可以随时停止个别外设和存储器的HCLK和PCLKx以降低功耗。
为了进一步降低休眠模式下的功耗，可以在执行WFI或WFE指令之前禁用外设时钟。
外设时钟门控由AHB外设时钟使能寄存器（RCC_AHBENR），APB1外设时钟使能寄存器（RCC_APB1 ENR）和APB2外设时钟使能寄存器（RCC_APB2ENR）控制。
睡眠模式
进入睡眠模式
通过执行WFI（等待中断）或WFE（等待事件）指令来进入睡眠模式。 根据Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPONEXIT位，有两个选项可用于选择睡眠模式输入机制：
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- 现在休眠：如果SLEEPONEXIT位被清零，一旦WFI或WFE指令被执行，MCU就进入休眠模式。
- 睡眠时退出：如果SLEEPONEXIT位置1，则MCU退出最低优先级ISR后立即进入睡眠模式。
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在休眠模式下，所有1/0引脚保持与运行模式下相同的状态。 有关如何进入睡眠模式的详细信息，请参阅表2和表3。
退出睡眠模式
如果使用WFI指令进入休眠模式，则由嵌套向量中断控制器（NVIC）确认的任何外设中断都可将器件从休眠模式唤醒。
如果使用WFE指令进入休眠模式，则一旦事件发生，MCU即退出休眠模式。 唤醒事件可以通过以下方式生成：
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- 在外设控制寄存器中启用中断，但在NVIC中不启用，并启用Cortex-M3系统控制寄存器中的SEVONPEND位。 当MCU从WFE恢复时，必须清除外设中断待处理位和外设NVIC IRQ通道待处理位（在NVIC中断清除未决寄存器中）。
- 或在事件模式下配置外部或内部EXTI线路。 当CPU从WFE恢复时，不需要清除外设中断待处理位或NVIC IRQ通道待处理位，因为未设置与事件行对应的待处理位。
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这种模式提供最低的唤醒时间，因为在中断进入/退出时没有浪费时间。 有关如何退出睡眠模式的更多详细信息，请参阅表2和表3。
表2 现在睡觉
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现在睡觉 |
描述 |
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模式输入 |
WFI（等待中断）或WFE（等待事件）：
请参阅Cortex-M3系统控制寄存器。 |
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模式退出 |
如果WFI用于进入 - gt;中断 如果使用WFE进入 - gt;唤醒事件 |
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唤醒延迟 |
没有。 |
表3。 睡眠对退出
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睡眠对退出 |
描述 |
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模式输入 |
WFI（等待中断）：SLEEPDEEP = 0和 SLEEPONEXIT = 1 请参阅Cortextrade;-M3系统控制寄存器。 |
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模式退出 |
打断。 |
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唤醒延迟 |
没有。 |
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- 停止模式
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Stop模式基于Cortex-M3深度睡眠模式与外设时钟门控相结合。 电压调节器可以配置为正常或低功耗模式。 在停止模式下，1.8 V域中的所有时钟停止工作，PLL，HSI和HSE RC振荡器被禁止。 SRAM和寄存器内容被保存。
在停止模式下，所有1/0引脚保持与运行模式下相同的状态。
进入停止模式
有关如何进入停止模式的详细信息，请参阅表4。
为了进一步减少停止模式下的功耗，可以将内部稳压器置于低功耗模式。 这由电源控制寄存器（PWR_CR）的LPDS位进行配置。
如果Flash存储器编程正在进行，则停止模式条目将被延迟，直到存储器访问完成。
如果对APB域的访问正在进行，则停止模式条目将被延迟，直到APB访问完成。
在停止模式下，可以通过编程各个控制位来选择以下功能：
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- 独立监视器（IWDG）：IWDG通过写入其密钥寄存器或通过硬件选项启动。 一旦启动，除非通过重置，否则不能停止。
- 实时时钟（RTC）：由备份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的RTCEN位配置，
- 内部RC振荡器（LSI RC）：由控制/状态寄存器（RCC_CSR）中的LSION位配置。
- 外部32.768 kHz振荡器（LSE OSC）：由备份域控制寄存器（RCC_BDCR）中的LSEON位配置。
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在停止模式下，ADC或DAC也会消耗功率，除非它们在进入之前被禁用。 要禁止它们，ADC_CR2寄存器中的ADON位和DAC_CR寄存器中的ENx位必须都写入0。
退出停止模式
有关如何退出停止模式的更多详细信息，请参阅表4。
当通过发出中断或唤醒事件退出停止模式时，将选择HSI RC振荡器作为系统时钟。
当电压调节器在低功耗模式下工作时，从停止模式唤醒时会产生额外的启动延迟。 通过在停止模式下保持内部稳压器处于开启状态，虽然启动时间减少，但消耗量更高。
表4。 停止模式
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停止模式 |
描述 |
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模式输入 |
WFI（等待中断）或WFE（等待事件）：
注：要进入停止模式，必须重置所有EXTI线路未决位（待定寄存器（EXTI_PR））和RTC警报标志。 否则，停止模式进入过程将被忽略 全文共6368字，剩余内容已隐藏，支付完成后下载完整资料 资料编号：[15262]，资料为PDF文档或Word文档，PDF文档可免费转换为Word |
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